Infineon schafft am Standort Villach zusätzliche Kapazitäten für moderne Leistungselektronik. Im Mittelpunkt steht die Fertigung von Galliumnitrid-Chips auf 300-Millimeter-Wafern. Diese Produktionsform ist auf große Mengen und industrielle Skalierung ausgelegt. Etwa 1,1 Milliarden Euro werden bis 2034 in das Projekt investiert. Der Ausbau nutzt vorhandene Reinraumflächen statt vollständig neuer Gebäude. Ende 2027 soll die Produktion erstmals anlaufen. Die Erweiterung erfolgt entsprechend der Entwicklung globaler Nachfrage.
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300-Millimeter-Wafer tragen Villachs Ausbau zum globalen GaN-Zentrum maßgeblich voran
Mit der Verarbeitung von 300-Millimeter-Wafern erweitert Infineon die GaN-Fertigung in Villach. Die großformatige Produktion ist auf hohe Stückzahlen moderner Leistungshalbleiter ausgerichtet. Sie unterstützt skalierbare Abläufe und eine effiziente Nutzung der Fertigungsanlagen. Der große Waferdurchmesser ermöglicht mehr Bauelemente innerhalb eines Produktionsdurchgangs. Damit entstehen Voraussetzungen für eine breit angelegte industrielle GaN-Serienproduktion. Villach verbindet diese neue Fähigkeit mit bestehender Halbleiterkompetenz. Der Standort entwickelt sich weiter zu einem globalen Zentrum für Leistungselektronik.
Infineon erweitert Villacher Fertigung auf Basis vorhandener Infrastruktur bedarfsgerecht
Villach stellt bereits geeignete Reinraumstrukturen für den Ausbau bereit heute. Infineon nutzt diese Basis und erneuert notwendige technische Einrichtungen gezielt. So entstehen zusätzliche Produktionsmöglichkeiten ohne vollständigen Neubau weiterer Gebäude dort. Die vorhandene Standortinfrastruktur begrenzt Kosten und verkürzt Umsetzungszeiten deutlich zugleich. Produktionsanlagen können innerhalb modernisierter Bereiche schrittweise installiert werden bei Bedarf. Die Investitionsgeschwindigkeit richtet sich nach dem Bedarf des Marktes konsequent. Dies gewährleistet einen wirtschaftlich kontrollierten Aufbau der Fertigungskapazität in Villach.
Energieeffiziente Halbleiter auf Galliumnitridbasis erschließen wichtige Anwendungsfelder weltweit künftig
GaN-Leistungshalbleiter unterstützen Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit niedrigeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften beschleunigen die Entwicklung platzsparender Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung versorgt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Produktionshochlauf für GaN in Villach erfolgt flexibel bis 2034
Ende des Jahres 2027 soll Infineon in Villach mit der Serienproduktion von GaN-Leistungshalbleitern beginnen. Bis 2034 sind dafür finanzielle Mittel von ungefähr 1,1 Milliarden Euro vorgesehen. Die Kapazität wird nicht unabhängig von der Marktentwicklung aufgebaut. Vielmehr sollen weitere Ausbaustufen an den tatsächlichen Bedarf gekoppelt werden. Infineon erhält dadurch Handlungsspielraum bei Produktionsplanung und Anlagenauslastung. Der Fertigungshochlauf kann auf diese Weise sowohl bei wachsender als auch bei nachlassender Nachfrage angepasst werden.
Förderung ermöglicht zusätzliche Hochvolumenkapazitäten für Leistungshalbleiter innerhalb Europas künftig
Die Unterstützung aus dem Europäischen Chips Act beläuft sich auf 319 Millionen Euro. Mit dieser Summe wird eine moderne Fertigung für Leistungshalbleiter gefördert, die Europas Produktionskapazität erweitert. Der Förderansatz verbindet industriepolitische Ziele mit der Bereitstellung energieeffizienter elektronischer Komponenten. Eine regionale Hochvolumenproduktion erleichtert es, Bedarfsschwankungen und Lieferanforderungen besser abzudecken. Gleichzeitig verbessert das Vorhaben die Voraussetzungen für technisches Know-how, belastbare Beschaffung und eine eigenständigere europäische Halbleiterversorgung in wichtigen Anwendungsfeldern der Zukunft deutlich.
Die neue Fertigung ergänzt den Villacher Standort um GaN-Technologie wesentlich. Bestehende Reinraumflächen werden umgebaut und für Serienprozesse qualifiziert gezielt weiter. So kann Infineon Produktionsmengen bedarfsgerecht und kosteneffizient erhöhen langfristig künftig. Der große Waferdurchmesser ist für eine Hochvolumenproduktion besonders geeignet dabei. Halbleiter aus dieser Linie unterstützen effizientere Lösungen für Stromversorgung weltweit. Wichtige Zielmärkte umfassen Rechenzentren Energietechnik Elektromobilität Robotik und Konsumprodukte gleichermaßen. Europas Förderung stärkt die regionale Fertigung und begrenzt Lieferabhängigkeiten spürbar.
